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2N3054 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：55V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：90V
集电极电流（I_C）：4A（连续）
饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=0.5A，I_B=50mA
直流电流增益（h_FE）：25 ~ 150 @ I_C=0.5A
集电极耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃
高结温：T_J=200℃
结-壳热阻（R_{th j-c}）：7.0℃/W
封装：TO-66

2N3054 是硅 NPN 功率三极管，采用 TO-66 金属封装，具有 55V/4A 的电压电流能力与 200℃ 的高结温，适用于通用开关与放大应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-66	Single-N	90	55	7	4	1.0	25	150	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	90	V
V_CEO	集电极-发射极电压	55	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
T_J	结温	200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	7.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=100mA；I_B=0	55	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=1mA；I_C=0	7	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	0.5	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=4V	25	150	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=4V	5	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=0.5A；I_B=50mA	--	1.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=3A；I_B=1A	--	6.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=0.5A；V_CE=4V	--	1.7	V

应用

通用开关通用开关（General purpose switching）应用。
通用放大通用放大（General purpose amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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