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2N3772 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：100V
集电极-发射极电压（V_CEO）：60V
集电极电流（I_C）：20A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：150W @ T_C=25℃
饱和压降：V_CE(sat)=1.4V（Max）@ I_C=10A，I_B=1A
直流电流增益（h_FE）：15 ~ 60 @ I_C=10A
正向偏置二次击穿电流能力强
封装：TO-3

2N3772 是一款 60V / 20A / 150W 的 NPN 硅功率三极管，采用 TO-3 金属封装，二次击穿耐受能力强、饱和压降低，适用于线性放大器、串联稳压电源与感性负载开关。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3	Single-N	100	60	7	20	150	1.4	15 ~ 60	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	60	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	20	A
I_B	基极电流	5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	150	W
T_J	结温	200	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA；I_B=0	60	--	V
I_CBO	集电极-基极截止电流	V_CB=100V；I_E=0	--	5.0	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=50V；I_B=0	--	10	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	5.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=4V	15	60	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=20A；V_CE=4V	5	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=10A；I_B=1A	--	1.4	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=20A；I_B=4A	--	4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=10A；V_CE=4V	--	2.2	V

应用

线性功率放大大电流音频与伺服放大输出级。
串联稳压电源大电流可调线性稳压的调整管。
感性负载开关继电器、电磁阀、点火线圈驱动。
电池充电与电源恒流/恒压功率级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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