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2N3773 国产替代NPN Power Transistor

NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO：140V（Min）
集电极电流 I_C：16A 连续，I_B：4A
总耗散功率 P_C：150W @ T_C=25℃
集电极饱和压降 V_CE(sat)：≤1.4V @ I_C=8A
直流电流增益 h_FE：15~60 @ I_C=8A
结温可达 200℃
封装：TO-3（TO-204）

2N3773 是一款 140V/16A NPN 功率三极管，TO-3 金属封装，150W 耗散、结温 200℃，线性区特性完整、安全工作区宽，适合大功率音频放大、DC-DC 变换器与逆变器、继电器与电磁阀驱动等场合，为 onsemi / Motorola 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE (min)	T_j (℃)
TO-3	140	160	16	150	≤1.4	15	-65 ~ 200

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	160	V
V_CEO	集电极-发射极电压	140	V
V_EBO	发射极-基极电压	7	V
I_C	集电极电流（连续）	16	A
I_B	基极电流	4	A
P_C	总耗散功率（T_C=25℃）	150	W
T_j	结温	-65 ~ 200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA；I_B=0	140	--	V
I_CBO	集电极-基极截止电流	V_CB=140V；I_E=0	--	2	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=120V；I_B=0	--	10	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=7V；I_C=0	--	5	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=8A；V_CE=4V	15	60	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=16A；V_CE=4V	5	--	--
V_CE(sat)1	集电极饱和压降	I_C=8A；I_B=0.8A	--	1.4	V
V_CE(sat)2	集电极饱和压降	I_C=16A；I_B=3.2A	--	4	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=8A；V_CE=4V	--	2.2	V

应用

DC-DC 变换器 / 逆变器开关电源、DC-DC 变换器与逆变器功率级。
大功率音频大功率音频放大器的输出级。
继电器 / 电磁阀驱动继电器、电磁铁与磁盘头定位器驱动。
线性电源线性稳压与串联调整。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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