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2N5296 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：40V
集电极-基极电压（V_CBO）：60V
集电极电流（I_C）：4A
集电极耗散功率（P_D）：36W @ T_C=25℃（降额 0.288W/℃）
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=1A
直流电流增益（h_FE）：30 ~ 120 @ I_C=1A
与 2N6111（PNP）互补配对
封装：TO-220

2N5296 是一款硅 NPN 外延平面型中功率三极管，采用 TO-220 封装，具有 40V/4A 的电压电流能力与 36W 的耗散功率，饱和压降低、安装方便，适用于开关电源、电机控制、音频放大与继电器驱动等通用开关及放大应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-N	60	40	5	4	1.0	30	120	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	40	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_B	基极电流（连续）	2	A
P_D	集电极耗散功率 @ T_C=25℃（降额 0.288W/℃）	36	W
T_J、T_stg	结温与存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.47	℃/W
R_{th j-a}	结-环境热阻	70	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=100mA；I_B=0A	40	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=1A；I_B=100mA	--	1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=1A；V_CE=4V	--	1.3	V
h_FE	直流电流增益	I_C=1A；V_CE=4V	30	120	--

应用

开关电源开关电源（Switching Regulators）与线性稳压电源。
电机控制直流电机调速与驱动。
音频放大音频功率放大器输出级。
继电器与电磁阀驱动继电器、电磁阀等感性负载驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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