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2N5884 国产替代PNP Power Transistor

PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压 V_CEO：-80V
集电极电流 I_C：-25A（峰值 I_CM=-50A）
集电极耗散功率 P_C：200W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：20 ~ 100 @ I_C=-10A
饱和压降 V_CE(sat)：-1V（Max）@ I_C=-15A
大功率金属封装，散热优良
封装：TO-3

2N5884 是一款 -80V/-25A 的大功率 PNP 三极管，采用 TO-3 金属封装，耗散功率达 200W，适用于大功率音频功放输出级、大电流开关、稳压电源及 DC-DC 转换等场合。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-3	-80	-25	200	20 ~ 100	-65 ~ 200

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-80	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-25	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-50	A
I_B	基极电流（连续）	-7.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	200	W
T_J	结温	-65 ~ 200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	0.875	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-80	--	V
I_CBO	集电极-基极截止电流	V_CB=-80V；I_B=0	--	-1	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-40V；I_B=0	--	-2	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-1	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-4V	35	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-10A；V_CE=-4V	20	100	--
h_FE3	直流电流增益	I_C=-25A；V_CE=-4V	4	--	--
V_CE(sat)1	集电极-发射极饱和电压	I_C=-15A；I_B=-1.5A	--	-1	V
V_CE(sat)2	集电极-发射极饱和电压	I_C=-25A；I_B=-6.25A	--	-4	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=-25A；I_B=-6.25A	--	-2.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-10A；V_CE=-4V	--	-1.5	V

应用

大功率音频功放音频功放输出级（Audio power amplifier）。
大电流开关继电器、螺线管、直流电机等大电流开关。
稳压电源大功率线性稳压电源调整管。
DC-DC 转换DC-DC 转换器与逆变电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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