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2N5886 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：80V
集电极-发射极电压（V_CEO）：80V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：25A（连续），峰值 50A
集电极耗散功率（P_C）：200W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=1.0V（Max）@ I_C=15A
直流电流增益（h_FE）：20 ~ 100 @ I_C=10A
封装：TO-3

2N5886 是一款 80V / 25A / 200W 的 NPN 功率三极管，采用 TO-3 金属封装，饱和压降低、热阻小，适用于通用功率放大器与开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	Structure
TO-3	Single-N	80	80	5	25	200	1.0	20	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	25	A
I_CM	集电极电流（峰值）	50	A
I_B	基极电流（连续）	7.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	200	W
T_J	结温	-65 ~ 200	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	0.875	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=30mA；I_B=0	80	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=80V；I_B=0	--	1	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=40V；I_B=0	--	2	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=3A；V_CE=4V	35	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=10A；V_CE=4V	20	100	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=25A；V_CE=4V	4	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=15A；I_B=1.5A	--	1.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=25A；I_B=6.25A	--	4.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=25A；I_B=6.25A	--	2.5	V
V_BE(on)	基极-发射极电压	I_C=10A；V_CE=4V	--	1.5	V

应用

功率放大器音频与通用功率放大输出级。
线性稳压电源大电流串联调整管。
开关电路电源开关与继电器驱动。
电机控制直流电机的功率驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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