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2N6037 国产替代Silicon NPN Darlington Power Transistor

Silicon NPN Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：40V
集电极-发射极电压（V_CEO）：40V
发射极-基极电压（V_EBO）：5V
集电极电流（I_C）：4A（连续），峰值 8A
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：2.0V（Max）@ I_C=2A
高直流电流增益（h_FE）：750 ~ 15000 @ I_C=2A
与 2N6034（PNP）互补配对
封装：TO-126

2N6037 是一款 40V / 4A / 40W 的 NPN 达林顿功率三极管，采用 TO-126 封装，电流增益高、驱动电流小，与 2N6034（PNP）互补，适用于通用放大与低速开关。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-126	Single-N	40	40	5	4	40	3.0	750 ~ 15000	Silicon NPN Darlington

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	40	V
V_CEO	集电极-发射极电压	40	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	4	A
I_CM	集电极电流（峰值）	8	A
I_B	基极电流（连续）	0.1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	3.13	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=10mA；I_B=0	40	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=40V；I_E=0	--	0.5	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=40V；I_B=0	--	0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	2.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=0.5A；V_CE=3V	500	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=2A；V_CE=3V	750	15000	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=4A；V_CE=3V	100	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=2A；I_B=8mA	--	2.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=40mA	--	3.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=4A；I_B=40mA	--	4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=2A；V_CE=3V	--	2.8	V

应用

通用功率放大音频与仪器的放大输出级。
低速开关继电器、灯组与螺线管的通断控制。
电机驱动小型直流电机驱动。
稳压电源串联调整与电流扩展。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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