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2N6042G 国产替代PNP Darlington Power Transistor

PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压 V_CEO：-100V
集电极电流 I_C：-8A（峰值 I_CM=-16A）
集电极耗散功率 P_C：75W @ T_C=25℃
直流电流增益 h_FE：1000 ~ 20000 @ I_C=-3A
饱和压降 V_CE(sat)：-2.0V（Max）@ I_C=-3A
内置基极-发射极分流电阻，单片结构
封装：TO-220

2N6042G 是一款 -100V/-8A 的 PNP 达林顿功率三极管，h_FE 高达 1000 以上、内置基极-发射极分流电阻，适用于通用放大器、低速开关、稳压电源与继电器驱动等场合，为安森美（onsemi）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	T_j (℃)
TO-220	-100	-8	75	1000 ~ 20000	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-8	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-16	A
I_B	基极电流（直流）	-120	mA
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	75	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.67	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=-30mA；I_B=0	-100	--	V
V_CE(sat)1	集电极-发射极饱和电压	I_C=-3A；I_B=-12mA	--	-2.0	V
V_CE(sat)2	集电极-发射极饱和电压	I_C=-8A；I_B=-80mA	--	-4.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=-8A；I_B=-80mA	--	-4.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-4A；V_CE=-4V	--	-2.8	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V；I_E=0	--	-0.5	mA
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-50V；I_B=0	--	-0.5	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-2.0	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-4V	1000	20000	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-8A；V_CE=-4V	100	--	--
C_OB	输出电容	I_E=0；V_CB=-10V；f=0.1MHz	--	300	pF

应用

通用放大器通用与音频功率放大级。
低速开关低速大电流开关（Low-speed switching）。
稳压电源线性稳压电源调整管。
继电器驱动继电器线圈驱动（Relay drivers）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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