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2N6103 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：45V
集电极-发射极电压（V_CEO）：45V
发射极-基极电压（V_EBO）：8V
集电极电流（I_C）：16A（连续），基极电流 4A
集电极耗散功率（P_C）：75W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：2.5V（Max）@ I_C=16A
直流电流增益（h_FE）：15 ~ 60 @ I_C=8A
封装：TO-220C

2N6103 是一款 45V / 16A / 75W 的 NPN 功率三极管，采用 TO-220C 封装，饱和压降低、电流容量大，适用于消费类、汽车与工业领域的中功率线性放大与开关电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220C	Single-N	45	45	8	16	75	2.5	15 ~ 60	Silicon NPN

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	45	V
V_CEO	集电极-发射极电压	45	V
V_EBO	发射极-基极电压	8	V
I_C	集电极电流（连续）	16	A
I_B	基极电流（连续）	4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	75	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	1.67	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=30mA；I_B=0	45	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=30V；I_B=0	--	2.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=8V；I_C=0	--	1.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=8A；V_CE=4V	15	60	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=16A；V_CE=4V	5	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=16A；I_B=3.2A	--	2.5	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=8A；V_CE=4V	--	1.7	V

应用

中功率音频放大消费类音响的功放输出级。
线性稳压大电流串联调整管。
汽车电子车用负载的开关与驱动。
工业开关工业控制中的大电流通断。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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