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2N6107 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-70V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-80V
低饱和压降：V_CE(sat)=-3.5V（Max）@ I_C=-7A
集电极电流（I_C）：-7A（峰值 -10A）
高直流电流增益：h_FE=30 ~ 150
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
与 2N6292 互补；封装：TO-220C

2N6107 是一款硅 PNP 功率三极管，具有 -70V/-7A 的电压电流能力与高直流电流增益，适用于通用放大器与开关应用，与 2N6292 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-P	80	70	5	7	3.5	30	150	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-70	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-7	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-10	A
I_B	基极电流	-3	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	40	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	3.125	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0A	-70	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-60V；I_B=0A	--	-1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0A	--	-1	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-2A；V_CE=-4V	30	150	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-7A；V_CE=-4V	2.3	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-7A；I_B=-3A	--	-3.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-7A；V_CE=-4V	--	-3	V

应用

通用放大器通用放大器（General-purpose amplifier）应用。
开关应用开关（Switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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