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2N6213 国产替代PNP High-Voltage Power Transistor

PNP High-Voltage Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：-350V，V_CBO -400V
集电极电流（I_C）：-2A，峰值 -5A
高耐压设计，适合高压开关与功率放大
饱和压降：V_CE(sat) ≤ -2.0V @ I_C=-1A，I_B=-125mA
TO-66 金属封装，25℃ 壳温耗散 35W
双档 h_FE：10~100 / 30~150

PNP 高压功率硅晶体管，用于功率放大与高压开关电路，TO-66 金属封装散热性好。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-66	PNP	-350	-400	-2	35	10~150	-2.0

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-400	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-350	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-2	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-5	A
I_B	基极电流（连续）	-1	A
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	35	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-65~200	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_thj-c	结到壳热阻	5.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=-10mA; I_B=0	-350	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-1mA; I_C=0	-6	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-400V; I_E=0	--	-15	mA
I_CEO	集电极-发射极截止电流	V_CE=-150V; I_B=0	--	-5	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-6V; I_C=0	--	-0.5	mA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-1A; V_CE=-4V	10	100	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-1A; V_CE=-5V	30	150	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-1A; I_B=-125mA	--	-2.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=-1A; I_B=-125mA	--	-1.4	V

应用

高压功率放大±350V 级高压输出的放大级，如示波器偏转与高压驱动。
高压开关电路高压侧通断控制与脉冲电路。
工业电源高压线性调整与稳压。
仪器仪表高压信号放大与驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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