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2N6285 国产替代PNP Darlington Power Transistor

PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：-60V（Min）
高直流电流增益：h_FE=750（Min）@ I_C=-10A
集电极电流（I_C）：-20A（脉冲 -40A）
低饱和压降：V_CE(sat)=-2.0V（Max）@ I_C=-10A
集电极耗散功率（P_C）：160W @ T_C=25℃
内置基极-发射极分流电阻
封装：TO-3

2N6285 是一款 PNP 硅达林顿功率三极管，内置基极-发射极分流电阻，具有高电流增益与大电流承载能力，适用于音频功率放大器与低频开关等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3	Single-P Darlington	60	60	5	20	3.0	750	18000	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-20	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	-40	A
I_B	基极电流	-0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	160	W
T_J	工作结温	-65 ~ 200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.09	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=-50mA；I_B=0	-60	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-10A；I_B=-40mA	--	-2.0	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-20A；I_B=-200mA	--	-3.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-20A；I_B=-200mA	--	-4.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-10A；V_CE=-3V	--	-2.8	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-30V；I_B=0	--	-1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-2.0	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-10A；V_CE=-3V	750	18000	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-20A；V_CE=-3V	100	--	--

应用

音频功率放大器音频功率放大器（Audio Power Amplifier）应用。
低频开关低频开关（Low-frequency switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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