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2N6287 国产替代PNP Darlington Power Transistor

PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO：-100V（Min）
集电极电流 I_C：-20A（连续）/ -40A（峰值）
高直流增益：h_FE 750（Min）@ I_C=-10A
集电极耗散功率 P_C：160W（T_C=25℃）
内置基极-发射极分流电阻的单片结构
与 2N6284 互补
封装：TO-3

2N6287 是一款 -100V/-20A 的 PNP 达林顿功率三极管，TO-3 金属封装，单片结构内置基极-发射极分流电阻，电流增益高、饱和压降低，适用于通用功率放大与低频开关场合，为 onsemi（原 Motorola）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE (Min)	T_j (℃)
TO-3	-100	-20	160	750	200

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5.0	V
I_C	集电极电流（连续）	-20	A
I_CP	集电极电流（峰值）	-40	A
I_B	基极电流	-0.5	A
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	160	W
T_j	结温	200	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 200	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	1.09	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-100	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=-50V；I_B=0	--	-1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-2	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-10A；V_CE=-3V	750	18000	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-20A；V_CE=-3V	100	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和电压	I_C=-10A；I_B=-40mA	--	-2	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和电压	I_C=-20A；I_B=-0.2A	--	-3	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=-20A；I_B=-0.2A	--	-4	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-10A；V_CE=-3V	--	-2.8	V

应用

功率放大通用功率放大器输出级（General-purpose power amplifier）。
低频开关低频大电流开关（Low-frequency switching）。
电源调整串联稳压与电源调整电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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