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2N6488 国产替代Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：80V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：90V
集电极电流（I_C）：15A（连续）
饱和压降：V_CE(sat)=1.3V（Max）@ I_C=5A，I_B=0.5A
直流电流增益（h_FE）：20 ~ 150 @ I_C=5A；5（Min）@ I_C=15A
集电极耗散功率（P_C）：75W @ T_C=25℃（1.8W @ T_a=25℃）
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.67℃/W
与 2N6491（PNP）互补配对
封装：TO-220C

2N6488 是硅 NPN 功率三极管，采用 TO-220C 封装，具有 80V/15A 的电压电流能力与 75W 的耗散功率，高直流电流增益，与 PNP 型 2N6491 互补配对，适用于通用功率放大与开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-N	90	80	5	15	1.3	20	150	Silicon NPN

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	90	V
V_CEO	集电极-发射极电压	80	V
V_EBO	发射极-基极电压	5	V
I_C	集电极电流（连续）	15	A
I_B	基极电流	5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	75	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.8	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.67	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=30mA；I_B=0	80	--	V
I_CEO	集电极截止电流	V_CE=40V；I_B=0	--	1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=5V；I_C=0	--	1	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=5A；V_CE=4V	20	150	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=15A；V_CE=4V	5	--	--
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=5A；I_B=0.5A	--	1.3	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=15A；I_B=5A	--	3.5	V
V_BE(on)-1	基极-发射极导通电压	I_C=5A；V_CE=4V	--	1.3	V
V_BE(on)-2	基极-发射极导通电压	I_C=15A；V_CE=4V	--	3.5	V

应用

通用放大通用功率放大（General-purpose amplifier）应用。
通用开关通用开关（Switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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