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2N6491 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极维持电压（V_CEO(SUS)）：-80V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-90V
集电极电流（I_C）：-15A（连续）
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.3V（Max）@ I_C=-5A / -3.5V（Max）@ I_C=-15A
集电极耗散功率（P_C）：75W @ T_C=25℃ / 1.8W @ T_a=25℃
直流电流增益（h_FE）：20 ~ 150 @ I_C=-5A
特征频率（f_T）：5.0MHz（Min）@ I_C=-1A
与 2N6488（NPN）互补配对
封装：TO-220（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2N6491 是一款 15A / -80V 硅 PNP 功率三极管，采用 TO-220 封装，饱和压降低、电流增益线性度好，与 NPN 型 2N6488 互补配对，适用于通用放大器与开关电路等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220	Single-P	-90	-80	-5	-15	-1.3	20	150	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-90	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-80	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-15	A
I_B	基极电流	-5	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	16	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	75	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.8	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.67	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CEO(SUS)	集电极-发射极维持电压	I_C=-50mA；I_B=0	-80	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-40V；I_E=0	--	-1.0	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-1	mA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-4V	20	150	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-15A；V_CE=-4V	5	--	--
V_CE(sat)1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-0.5A	--	-1.3	V
V_CE(sat)2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-15A；I_B=-5A	--	-3.5	V
V_BE(on)1	基极-发射极导通电压	I_C=-5A；V_CE=-4V	--	-1.3	V
V_BE(on)2	基极-发射极导通电压	I_C=-15A；V_CE=-4V	--	-3.5	V
f_T	特征频率	I_C=-1.0A；V_CE=-4V；f=1.0MHz	5.0	--	MHz

应用

通用放大通用放大器（General-purpose amplifier）应用。
开关电路开关（Switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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