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2SA1145 国产替代PNP Silicon Epitaxial Transistor

PNP Silicon Epitaxial Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_CEO）：-150V，V_CBO -150V
集电极电流（I_C）：-50mA，集电极耗散 800mW @ T_a=25℃
高转换频率：f_T = 200MHz（典型值）
小输出电容：C_ob = 2.5pF（典型值）
h_FE 分 O / Y 两档：80~160 / 120~240
TO-92MOD 封装，与 2SC2705 互补

PNP 硅外延型高频晶体管，低输出电容与高转换频率适合音频放大器前级与高频小信号放大场合。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-92MOD	PNP	-150	-150	-0.05	0.8	80~240	-1.0

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-150	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-50	mA
P_C	集电极耗散功率 T_a=25℃	0.8	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

电气特性（T_a=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-1mA；I_B=0	-150	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-10mA；I_B=-1mA	--	-1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极电压	I_C=-10mA；V_CE=-5V	--	-0.8	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-150V；I_E=0	--	-0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-0.1	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-10mA；V_CE=-5V	80	240	--

典型特性

符号	参数	测试条件	典型值	单位
f_T	转换频率	I_C=-10mA；V_CE=-10V	200	MHz
C_ob	输出电容	I_E=0；V_CB=-10V；f=1MHz	2.5	pF

h_FE 分档

O	Y
80 ~ 160	120 ~ 240

应用

音频前置放大低噪声、高增益的前置放大级，配合 2SC2705 组成互补对称电路。
音频功率放大音响功放推动级与电压放大级，-150V 耐压适配较高供电电压。
高频小信号放大200MHz 转换频率与低输出电容，适合高频小信号放大与缓冲级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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