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2SA1184Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-120V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-120V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-1A（连续），基极电流 -100mA
集电极耗散功率（P_C）：1.0W @ T_a=25℃ / 15W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：80 ~ 240
特征频率（f_T）：120MHz
与 2SC2824（NPN）互补配对
封装：TO-126

2SA1184 是一款 -120V / -1A 的 PNP 功率三极管，采用 TO-126 封装，耐压高、特征频率 120MHz，与 2SC2824（NPN）互补，适用于 60~80W 音频功放的推动级与高频功率放大。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	f_T (MHz)	Structure
TO-126	Single-P	-120	-120	-5	-1	1.0 / 15	80 ~ 240	120	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-120	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-1	A
I_B	基极电流（连续）	-100	mA
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.0	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
h_FE-1	直流电流增益	V_CE=-5V；I_C=-0.1A	80	160	--
h_FE-2	直流电流增益	V_CE=-5V；I_C=-0.1A	120	240	--
f_T	特征频率	V_CE=-5V；I_C=-0.1A	120	--	MHz
C_ob	输出电容	V_CB=-10V；I_E=0；f=1MHz	--	30	pF

应用

音频功率放大60~80W 功放的推动级与输出级。
高频功率放大高频小信号功率放大级。
串联稳压小功率线性稳压调整管。
互补推挽与 2SC2824 组成互补对称输出。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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