2SA1244 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

TO-251（IPAK）封装
集电极-基极电压（V_CBO）：-60V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-50V
集电极电流（I_C）：-5A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
低饱和压降 V_CE(sat)≤-0.4V @ I_C=-3A
开关速度快，h_FE 线性度好
与 2SC3074 互补配对

2SA1244 是一款硅 PNP 功率三极管，采用 TO-251（IPAK）封装，具有 -50V/-5A 的电压电流能力与 20W 耗散功率，饱和压降低、开关速度快、h_FE 线性度好，适用于中等功率放大、继电器驱动与高速开关等应用，与 2SC3074 构成互补对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-251	Single-P	-60	-50	-5	-5	-0.4	70	240	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-50	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-5	A
I_B	基极电流	-1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_j	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-0.15A	--	-0.4	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-0.15A	--	-1.2	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-50	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-50V；I_E=0	--	-1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-1.0	µA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-1V	70	240	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-1V	30	--	--

h_FE 分档

档位	O	Y
h_FE 范围	70 - 140	120 - 240

应用

中等功率放大中等功率放大（Medium power dissipation）应用。
继电器驱动继电器驱动与高速开关（Relay drivers / High-speed switching）应用。
逆变与转换电路高速逆变器与转换器（High-speed inverters / converters）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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