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2SA1261 国产替代PNP Power Transistor

PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO：-100V（Min）
集电极电流 I_C：-10A（连续）/ -20A（峰值）
集电极-发射极饱和电压 V_CE(sat)：-0.6V（Max）@ I_C=-5A
开关速度快，适合高压高速开关
与 2SC3157 互补
封装：TO-220C

2SA1261 是一款 -100V/-10A 的 PNP 功率三极管，TO-220C 封装，饱和压降低、开关速度快，与 2SC3157 构成互补对管，作为高压高速开关的驱动级，适用于开关稳压器、DC-DC 变换器与高频功率放大等场合。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE (Min)	T_j (℃)
TO-220C	-100	-10	60	40	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-7.0	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-20	A
I_B	基极电流（连续）	-3.5	A
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	60	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-65 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	0.96	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极维持电压	I_C=-10mA；I_B=0	-100	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V；I_E=0	--	-10	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-10	μA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-0.5A；V_CE=-5V	40	200	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-3.0A；V_CE=-5V	40	200	--
h_FE-3	直流电流增益	I_C=-5.0A；V_CE=-5V	20	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-5.0A；I_B=-0.5A	--	-0.6	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=-5.0A；I_B=-0.5A	--	-1.5	V

h_FE 分档

M	L	K
40 ~ 80	60 ~ 120	100 ~ 200

应用

开关稳压器高压高速开关电源与稳压器驱动级（Switching regulators）。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器功率级（DC-DC converters）。
高频功率放大高频功率放大（High frequency power amplifier）。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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