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2SA1265 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压：V_(BR)CEO=-140V（Min）
集电极电流：I_C=-10A（连续）
集电极耗散功率：P_C=100W @ T_C=25℃
饱和压降：V_CE(sat)=-2.0V（Max）@ I_C=-7A
特征频率：f_T=30MHz（Min）
h_FE 分档：R（55~110）/ O（80~160）
与 2SC3182（NPN）互补配对
封装：TO-3P（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SA1265 是一款 -140V / -10A 硅 PNP 功率三极管，采用 TO-3P 封装，特征频率 30MHz、饱和压降低，是 70W 级高保真音频功放的推荐输出管，与 2SC3182（NPN）互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	T_j (℃)	Structure
TO-3P	-140	-140	-10	100	-2.0	55	160	150	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-140	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-140	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
I_B	基极电流（连续）	-1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-50mA；I_B=0	-140	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-140V；I_E=0	--	-5.0	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-5.0	μA
h_FE-1	直流电流增益	V_CE=-5V；I_C=-1A	55	160	--
h_FE-2	直流电流增益	V_CE=-5V；I_C=-5A	35	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-7A；I_B=-0.7A	--	-2.0	V
V_BE	基极-发射极电压	V_CE=-5V；I_C=-5A	-1.0	-1.5	V
f_T	特征频率	V_CE=-5V；I_C=-1A	30	--	MHz
C_ob	集电极输出电容	V_CB=-10V；I_E=0；f=1MHz	--	480	pF

应用

音频功率放大70W 级高保真音频功放输出级。
通用功率放大中功率线性放大与开关电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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