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2SA1304 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-150V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-150V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-1.5A（连续），基极电流 -0.5A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-1.5V（Max）@ I_C=-0.5A
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 140 @ I_C=-0.5A
与 2SC3296（NPN）互补配对，耐压高、安全工作区宽
封装：TO-220F

2SA1304 是一款 -150V / -1.5A / 20W 的 PNP 功率三极管，采用 TO-220F 全塑封封装，耐压高、安全工作区宽，与 2SC3296（NPN）互补配对，适用于功率放大与场输出（垂直输出）电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220F	Single-P	-150	-150	-5	-1.5	20	-1.5	40 ~ 140	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-150	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-1.5	A
I_B	基极电流（连续）	-0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	6.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-150	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-0.5A；I_B=-50mA	--	-1.5	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=-0.5A；V_CE=-10V	--	-0.85	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-120V；I_E=0	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-0.5A；V_CE=-10V	40	140	--

应用

音频功率放大功放输出级，与 2SC3296 组成互补推挽。
场输出（垂直输出）CRT 电视机场偏转输出级。
串联稳压中功率串联调整管。
通用功率驱动需要较高耐压的线性放大与驱动场合。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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