2SA1306 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

TO-220F 全包封封装，系列件含 2SA1306 / 2SA1306A / 2SA1306B
集电极-发射极电压（V_CEO）：-160V（A 档 -180V，B 档 -200V）
集电极电流（I_C）：-1.5A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
h_FE 线性度好，高击穿电压
特征频率（f_T）：100MHz（典型值）
与 2SC3298 / A / B 互补配对
批次一致性好，运行可靠

2SA1306 是一款硅 PNP 功率三极管系列件（含 2SA1306 / A / B 三档耐压），采用 TO-220F 全包封封装，耐压 -160V ~ -200V、电流 -1.5A、耗散 20W，h_FE 线性度好、特征频率 100MHz，适用于音频功率放大与驱动级放大等应用，与 2SC3298 系列构成互补对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-P	-160 / -180 / -200	-160 / -180 / -200	-5	-1.5	-1.5	70	240	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压（2SA1306 / A / B）	-160 / -180 / -200	V
V_CEO	集电极-发射极电压（2SA1306 / A / B）	-160 / -180 / -200	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-1.5	A
I_B	基极电流（连续）	-0.15	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_j	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0（2SA1306 / A / B）	-160 / -180 / -200	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-1mA；I_C=0	-5	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-500mA；I_B=-50mA	--	-1.5	V
V_BE(on)	基极-发射极导通压降	I_C=-500mA；V_CE=-5V	--	-1.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-160 / -180 / -200V；I_E=0	--	-1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-1.0	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-100mA；V_CE=-5V	70	240	--
f_T	特征频率（典型值）	I_C=-100mA；V_CE=-10V	100	--	MHz
C_ob	输出电容（典型值）	I_E=0；V_CB=-10V；f=1MHz	30	--	pF

h_FE 分档

档位	O	Y
h_FE 范围	70 - 140	120 - 240

应用

音频功率放大音频功率放大（Power amplifier applications）应用。
驱动级放大驱动级放大（Driver stage amplifier applications）应用。
高压开关高压开关与调节电路（High voltage switching）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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