当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SA1381 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-300V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-300V
集电极电流（I_C）：-100mA，脉冲 -200mA
集电极耗散功率（P_C）：1.2W；T_C=25℃ 时 7W
高耐压、低反馈电容，高频特性优良
h_FE 分档：C / D / E / F
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

2SA1381 是一款 -300V、-100mA 的硅 PNP 外延平面高压三极管，采用 TO-126 封装，反向传输电容小、高频特性优良、耐压余量充足，适用于高清 CRT 显示器的视频输出级，也可用于高压小信号放大与开关电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-P	-300	-300	-5	-0.1	-0.6	40	320	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-300	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-300	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流	-100	mA
I_CP	集电极电流（脉冲）	-200	mA
P_C	集电极耗散功率（T_a=25℃）	1.2	W
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	7	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-10µA；I_E=0	-300	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-1mA；R_BE=∞	-300	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-10µA；I_C=0	-5	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-200V；I_E=0	--	-0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-4V；I_C=0	--	-0.1	µA
h_FE	直流电流增益	V_CE=-10V；I_C=-10mA	40	320	--
f_T	特征频率	V_CE=-30V；I_C=-10mA	--	150	MHz
C_ob	输出电容	V_CB=-30V；f=1MHz	--	2.6	pF
C_re	反馈电容	V_CB=-30V；f=1MHz	--	1.8	pF
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-20mA；I_B=-2mA	--	-0.6	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-20mA；I_B=-2mA	--	-1.0	V

h_FE 分档

档位	C	D	E	F
h_FE 范围	40 ~ 80	60 ~ 120	100 ~ 200	160 ~ 320

应用

视频输出高清 CRT 显示器视频输出级的高压放大应用。
高压小信号放大高耐压小信号放大与推动级应用。
高压开关高压小电流开关与脉冲电路应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号