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2SA1385 国产替代PNP Power Transistor

PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO：-60V（Min）
集电极电流 I_C：-5A 连续，I_CP：-7A 脉冲
集电极耗散功率 P_C：10W @ T_C=25℃
集电极饱和压降 V_CE(sat)：≤-0.3V @ I_C=-2A
直流电流增益 h_FE：100~400（M / L / K 三档）
封装：MP-3（TO-126）

2SA1385 是一款 -60V/-5A PNP 功率三极管，MP-3（TO-126）封装，饱和压降低、增益线性好，适合开关稳压器、DC-DC 变换器与音频功率放大，尤其在混合集成电路中作高电流控制，为 NEC 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE (min)	T_j (℃)
TO-126	-60	-60	-5	10	≤-0.3	100	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-7	V
I_C	集电极电流（连续）	-5	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	-7	A
P_C	总耗散功率（T_C=25℃）	10	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	12.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-60	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-50V；I_E=0	--	-10	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-7V；I_C=0	--	-10	μA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-2A；V_CE=-1V	100	400	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-1V	50	--	--
V_CE(sat)	集电极饱和压降	I_C=-2A；I_B=-0.2A	--	-0.3	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-2A；I_B=-0.2A	--	-1.2	V

h_FE 分档

M	L	K
100 ~ 200	160 ~ 320	200 ~ 400

应用

开关稳压器开关型稳压电源的功率开关（Switching regulator）。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器与转换器功率级。
功率放大音频与信号功率放大（Power amplifier）。
混合集成电路混合 IC 中的高电流控制级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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