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2SA1386A 国产替代PNP Silicon Power Transistor

PNP Silicon Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极电压（V_CEO）：-180V
集电极电流（I_C）：-15A
宽电流范围内 h_FE 线性度好：50 ~ 180 @ I_C=-5A
低饱和压降：V_CE(sat) ≤ -2.0V @ I_C=-5A，I_B=-0.5A
高转换频率 f_T 典型 40MHz
LAPT 结构，TO-3P 封装，25℃ 壳温耗散 130W
与 2SC3519A（NPN）互补

LAPT 结构的 PNP 音频功率晶体管，与 2SC3519A 构成互补对管，用于高品质音频功放输出级。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-3P	PNP	-180	-180	-15	130	50~180	-2.0

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-180	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-15	A
I_B	基极电流（连续）	-4	A
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	130	W
T_J	结温	150	℃
T_STG	储存温度范围	-55~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_θJC	结到壳热阻	0.96	℃/W
R_θJA	结到环境热阻	35.7	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-25mA	-180	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-180V; I_E=0	--	-100	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V; I_C=0	--	-100	μA
h_FE	直流电流增益	I_C=-5A; V_CE=-4V	50	180	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-5A; I_B=-0.5A	--	-2.0	V

典型特性

符号	参数	测试条件	典型值	单位
f_T	特征频率	V_CE=-12V; I_E=2A	40	MHz
C_OB	集电极输出电容	V_CB=-10V; I_E=0; f=1MHz	500	pF

h_FE 分档

O	P	Y
50~100	70~140	90~180

应用

音频功放输出级与 2SC3519A 互补组成推挽输出级，用于 Hi-Fi 与专业音响。
音频功放驱动级作为输出级的互补驱动管，降低交越失真。
线性稳压电源大电流线性调整与稳压电路。
通用功率放大工业与仪表设备的线性放大。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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