当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SA1469 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-80V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-60V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-5A（连续），峰值 -7A
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）：-0.4V（Max）@ I_C=-2.5A
直流电流增益（h_FE）：70 ~ 280 @ I_C=-1A
与 2SC3746（NPN）互补配对，饱和压降低、开关速度快
封装：TO-220F

2SA1469 是一款 -60V / -5A / 20W 的 PNP 功率三极管，采用 TO-220F 全塑封封装，饱和压降低、h_FE 随电流变化平缓、开关速度快，与 2SC3746（NPN）互补，适用于电感负载驱动、逆变与变换电路及车载功放。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220F	Single-P	-80	-60	-5	-5	20	-0.4	70 ~ 280	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-5	A
I_CP	集电极电流（峰值）	-7	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结-壳热阻	6.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-1mA；R_BE=∞	-60	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-10mA；I_E=0	-80	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-10mA；I_C=0	-5	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-2.5A；I_B=-0.125A	--	-0.4	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-40V；I_E=0	--	-0.1	mA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-4V；I_C=0	--	-0.1	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-2V	70	280	--

应用

电感负载与灯驱动继电器、电磁阀、车灯等感性负载驱动。
逆变与变换电路逆变器、变换器（闪光灯、荧光灯点灯电路）。
车载音频功放大功率汽车音响输出级。
高速开关开关稳压器与驱动级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号