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2SA1492 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-180V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-180V
集电极电流（I_C）：-15A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：130W @ T_C=25℃
饱和压降：V_CE(sat)=-2.0V（Max）@ I_C=-5A，I_B=-0.5A
直流电流增益（h_FE）：50 ~ 180 @ I_C=-3A
与 2SC3856（NPN）互补配对
封装：TO-3P

2SA1492 是一款 -180V / -15A / 130W 的 PNP 外延平面型功率三极管，采用 TO-3P 封装，安全工作区宽、批次一致性好，与 2SC3856 互补，适用于音频功放输出级与通用功率放大电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-3P	Single-P	-180	-180	-6	-15	130	-2.0	50 ~ 180	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-180	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-15	A
I_B	基极电流（连续）	-4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	130	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	0.96	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-180	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-180V；I_E=0	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-6V；I_C=0	--	-100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-4V	50	180	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-0.5A	--	-2.0	V

应用

音频功放输出级与 2SC3856 组成互补推挽输出级。
通用功率放大高压大电流模拟信号的功率放大。
串联稳压线性稳压电源的调整管。
电机与执行器驱动中小功率直流负载的驱动级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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