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2SA1593 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-120V
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.6V（Max）@ I_C=-1.0A
高直流电流增益：h_FE=100 ~ 400 @ I_C=-0.1A
超高开关速度：f_T=120MHz
集电极耗散功率（P_C）：15W @ T_C=25℃
与 2SC4135 互补；封装：TO-251

2SA1593 是一款硅 PNP 高压开关三极管，具有 -100V/-2A 的电压电流能力、低饱和压降与超高开关速度，适用于电源、继电器驱动与灯驱动等应用，与 2SC4135 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-251	Single-P	120	100	6	2	0.6	100	400	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-2	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-3	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	15	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	1.0	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-1mA；I_B=0	-100	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-10µA；I_C=0	-6	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-1.0A；I_B=-0.1A	--	-0.6	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-1.0A；I_B=-0.1A	--	-1.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V；I_E=0	--	-100	nA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-4V；I_C=0	--	-100	nA
h_FE	直流电流增益	I_C=-0.1A；V_CE=-5V	100	400	--
C_OB	输出电容	I_E=0；V_CB=-10V；f=1.0MHz	--	25	pF
f_T	特征频率	I_C=-0.1A；V_CE=-10V	--	120	MHz

h_FE 分档

档位	R	S	T
h_FE 范围	100-200	140-280	200-400

应用

电源与继电器驱动电源（Power supplies）、继电器驱动（Relay drivers）应用。
灯驱动灯驱动（Lamp drivers）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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