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2SA1648A 国产替代PNP Power Transistor for High-Speed Switching

PNP Power Transistor for High-Speed Switching ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压 V_CBO：-100V，集电极-发射极电压 V_CEO：-60V
集电极电流 I_C：-5A 连续，I_CP：-10A 脉冲
总耗散功率 P_C：18W @ T_C=25℃，1W @ T_a=25℃
集电极饱和压降 V_CE(sat)：≤-0.3V @ I_C=-3A
直流电流增益 h_FE：100~400（M / L / K 三档）
封装：TO-251（MP-3）

2SA1648A 是一款 -60V/-5A PNP 功率三极管，TO-251（MP-3）封装，饱和压降低、开关速度快、增益线性好，适合开关稳压器、DC/DC 变换器、电机与电磁阀驱动等低压大电流场合，为 NEC / Renesas 同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE (min)	T_j (℃)
TO-251	-60	-100	-5	18	≤-0.3	100	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-7	V
I_C	集电极电流（连续）	-5	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	-10	A
P_C	总耗散功率（T_C=25℃）	18	W
P_C	总耗散功率（T_a=25℃）	1	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-60	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V；I_E=0	--	-10	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-7V；I_C=0	--	-10	μA
h_FE1	直流电流增益	I_C=-0.5A；V_CE=-2V	100	--	--
h_FE2	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-2V	100	400	--
h_FE3	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-2V	60	--	--
V_CE(sat)1	集电极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-0.15A	--	-0.3	V
V_CE(sat)2	集电极饱和压降	I_C=-4A；I_B=-0.2A	--	-0.5	V
V_BE(sat)1	基极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-0.15A	--	-1.2	V
V_BE(sat)2	基极-发射极饱和压降	I_C=-4A；I_B=-0.2A	--	-1.5	V

h_FE 分档

M	L	K
100 ~ 200	150 ~ 300	200 ~ 400

应用

开关稳压器高速开关的稳压电源功率级。
DC/DC 变换器低压输入 DC/DC 变换器。
电机驱动小型直流电机与步进电机驱动。
电磁阀驱动电磁阀、继电器线包驱动。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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