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2SA1668 国产替代PNP Power Transistor

PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO：-200V（Min）
集电极电流 I_C：-2A
集电极耗散功率 P_C：25W（T_C=25℃）
集电极-发射极饱和电压 V_CE(sat)：-1.0V（Max）@ I_C=-0.7A
与 2SC4382 互补
封装：TO-220F（绝缘型）

2SA1668 是一款 -200V/-2A 的 PNP 功率三极管，TO-220F 绝缘封装，饱和压降低、开关速度快，与 2SC4382 构成互补对管，适用于电视垂直输出、音频输出驱动及通用放大场合，为 Sanken（三垦）同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE (Min)	T_j (℃)
TO-220F	-200	-2	25	60	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-200	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-2	A
I_B	基极电流（连续）	-1	A
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	25	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	5.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-200	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-200V；I_E=0	--	-10	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-6V；I_C=0	--	-10	μA
h_FE	直流电流增益	I_C=-0.7A；V_CE=-10V	60	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-0.7A；I_B=-0.07A	--	-1.0	V

应用

电视垂直输出电视机场输出级（Vertical output）。
音频输出驱动音频输出驱动级（Audio output driver）。
通用放大通用功率放大与开关电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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