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2SA1695 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压：V_(BR)CEO=-140V（Min）
集电极电流：I_C=-10A（连续）
集电极耗散功率：P_C=100W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.5V（Max）@ I_C=-5A
h_FE 分档：O（50~100）/ P（70~140）/ Y（90~180）
与 2SC4468（NPN）互补配对
封装：TO-3PN（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SA1695 是一款 -140V / -10A 硅 PNP 功率三极管，采用 TO-3PN 封装，饱和压降低、h_FE 线性度好，适用于音频功率放大与通用放大电路，与 2SC4468（NPN）互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	T_j (℃)	Structure
TO-3PN	-140	-140	-10	100	-0.5	50	180	150	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-140	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-140	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
I_B	基极电流（连续）	-4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	100	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-140	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-140V；I_E=0	--	-10	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-6V；I_C=0	--	-10	μA
h_FE	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-4V	50	180	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-0.5A	--	-0.5	V

应用

音频功率放大音频功放输出级（audio and general purpose）。
通用放大中功率线性放大与开关电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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