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2SA1746Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-50V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-70V
集电极电流（I_C）：-12A（峰值 -20A）
集电极耗散功率（P_C）：60W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.5V（Max）@ I_C=-5A
直流电流增益（h_FE）：50（Min）@ I_C=-5A
封装：TO-3PF（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SA1746 是一款硅 PNP 外延平面功率三极管，采用 TO-3PF 全塑封隔离封装，具有 -50V/-12A 的电压电流能力与 60W 的集电极耗散功率，饱和压降仅 -0.5V、h_FE 线性度好，适用于斩波稳压器、开关电路与通用功率放大等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	Structure
TO-3PF	Single-P	70	50	6	12	0.5	50	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-70	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-50	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-12	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-20	A
I_B	基极电流（连续）	-4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	60	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.08	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-50	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-70V；I_E=0	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-6V；I_C=0	--	-10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-5A；V_CE=-1V	50	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-80mA	--	-0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-80mA	--	-1.2	V

应用

斩波稳压器斩波稳压器（Chopper regulator）应用。
开关电路开关（Switch）应用。
通用功率放大通用功率放大（General purpose）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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