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2SA1859 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-150V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-150V
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.0V（Max）@ I_C=-0.7A
高特征频率：f_T=60MHz
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
与 2SC4883 互补
封装：TO-220F

2SA1859 是一款硅 PNP 功率三极管，具有 -150V 高耐压与高特征频率，适用于音频输出驱动及电视速度调制等应用，与 2SC4883 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-P	150	150	6	2	1.0	60	240	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-150	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-150	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-2	A
I_B	基极电流（连续）	-1	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	6.25	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-150	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-150V；I_E=0	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-6V；I_C=0	--	-10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-0.7A；V_CE=-10V	60	240	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-0.7A；I_B=-70mA	--	-1.0	V

应用

音频输出驱动音频输出驱动（Audio Output Driver）应用。
电视速度调制电视机速度调制（TV Velocity-modulation）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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