2SA1962Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-230V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-230V
集电极电流（I_C）：-15A
集电极耗散功率（P_C）：130W @ T_C=25℃
直流电流增益（h_FE）：55 ~ 160 @ I_C=-1A
低饱和压降：V_CE(sat)=-3.0V（Max）@ I_C=-8A
与 2SC5242（NPN）互补配对
封装：TO-3P（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SA1962 是一款硅 PNP 三重扩散功率三极管，采用 TO-3P 封装，具有 -230V/-15A 的电压电流能力与 130W 的集电极耗散功率，耐压高、h_FE 线性度好，与 NPN 型 2SC5242 互补配对，适用于 80W 级高保真音频功率放大器输出级，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-P	230	230	5	15	3.0	55	160	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-230	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-230	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-15	A
I_B	基极电流（连续）	-1.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	130	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	0.96	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-230	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-230V；I_E=0	--	-5.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-5.0	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-5V	55	160	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-7A；V_CE=-5V	35	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-8A；I_B=-0.8A	--	-3.0	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	I_C=-7A；V_CE=-5V	--	-1.5	V

h_FE 分档

等级	R	O
h_FE 范围	55 ~ 110	80 ~ 160

应用

音频功率放大音频功率放大器输出级（Power amplifier）应用。
80W 高保真功放80W 高保真音频功放输出级应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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