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2SA2210 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

TO-220F 全包封封装
集电极-基极电压（V_CBO）：-50V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-50V
集电极电流（I_C）：-20A（峰值 -25A）
集电极耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃（2W @ T_a=25℃）
低饱和压降 V_CE(sat)≤-0.5V @ I_C=-7A
高速开关，100% 雪崩测试
直流电流增益（h_FE）：200 ~ 560 @ I_C=-1A

2SA2210 是一款硅 PNP 功率三极管，采用 TO-220F 全包封封装，具有 -50V/-20A 的电压电流能力、30W 耗散功率与低饱和压降，开关速度快且经 100% 雪崩测试，适用于继电器驱动、灯驱动与电机驱动等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-P	-50	-50	-6	-20	-0.5	200	560	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-50	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-50	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-20	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-25	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	2	W
T_j	最高结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-7A；I_B=-350mA	--	-0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-7A；I_B=-350mA	--	-1.2	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-1mA；I_B=0	-50	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-100µA；I_C=0	-6	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-40V；I_E=0	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-4V；I_C=0	--	-10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-2V	200	560	--
C_ob	输出电容（典型值）	I_E=0；V_CB=-10V；f=1MHz	215	--	pF
f_T	特征频率（典型值）	I_C=-1A；V_CE=-10V	140	--	MHz

应用

继电器驱动继电器驱动（Relay drivers）应用。
灯驱动灯驱动（Lamp drivers）应用。
电机驱动电机驱动（Motor drivers）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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