2SA2222 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-50V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-50V
集电极电流（I_C）：-10A，脉冲 -13A
集电极耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃；2W @ T_a=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.5V（Max）@ I_C=-6A
直流电流增益（h_FE）：150 ~ 450 @ I_C=-270mA
采用 MBIT 工艺，大电流容量、高速开关
封装：TO-220F（1 基极 / 2 集电极 / 3 发射极）

2SA2222 是一款硅 PNP 外延平面功率三极管，采用 TO-220F 全包封，具有 -50V/-10A 的电压电流能力与 25W 耗散功率，采用 MBIT 工艺制造，饱和压降低、电流容量大、开关速度快，与 NPN 型 2SC6144 等构成互补配对，适用于继电器驱动、灯驱动、电机驱动与电源开关等大电流场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220F	Single-P	-50	-50	-6	-10	-0.5	150	450	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-50	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-50	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-10	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	-13	A
I_B	基极电流（连续）	-2	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	2	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-100µA；I_E=0	-50	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-1mA；R_BE=∞	-50	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-100µA；I_C=0	-6	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-40V；I_E=0	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-4V；I_C=0	--	-10	µA
h_FE	直流电流增益	V_CE=-2V；I_C=-270mA	150	450	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-6A；I_B=-300mA	--	-0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-6A；I_B=-300mA	--	-1.2	V
C_ob	输出电容	V_CB=-10V；I_E=0；f=1MHz	--	115（Typ）	pF
f_T	特征频率	V_CE=-10V；I_C=-1A	--	230（Typ）	MHz

应用

继电器驱动继电器与电磁阀等大电流负载的驱动应用。
灯驱动车灯、指示灯与照明负载的开关驱动应用。
电机驱动小型直流电机与步进电机的驱动应用。
电源开关DC-DC 转换与电源通路的功率开关应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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