当前位置：首页 / 产品 / 双极型晶体管BJT

2SA985 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-120V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-120V
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-1.5A（峰值 -3.0A）
集电极耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃
直流电流增益线性度好：h_FE=60 ~ 320 @ I_C=-0.3A
集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=-2.0V（Max）@ I_C=-1A
与 2SC2275（NPN）互补配对
封装：TO-220C（E-C-B）

2SA985 是一款 -120V / -1.5A 硅 PNP 外延平面功率三极管，采用 TO-220C 封装，h_FE 线性度好、饱和压降低，与 NPN 型的 2SC2275 构成互补对管，适用于音频功率放大器与高频功率放大器的推动级与输出级。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CBO (V)	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)	T_j (℃)	Structure
TO-220C	PNP	-120	-120	-1.5	25	60~320	-2.0	150	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-120	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-1.5	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-3.0	A
I_B	基极电流（连续）	-0.3	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	5.0	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-120	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-120V；I_E=0	--	-1.0	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-3V；I_C=0	--	-1.0	μA
h_FE-1	直流电流增益（小电流）	I_C=-5mA；V_CE=-5V	35	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-0.3A；V_CE=-5V	60	320	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-1A；I_B=-0.1A	--	-2.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-1A；I_B=-0.1A	--	-1.5	V

应用

音频功率放大器音频功放推动级与输出级，与 2SC2275 互补。
高频功率放大高频功率放大的推动级。
驱动电路中小功率驱动与预放级。
通用放大通用线性放大与开关电路。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

如需产品选型建议、样品申请或技术咨询，欢迎通过以下方式联系我们，我们将在 24 小时内回复。

公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

官网：www.iscsemi.com

地址：江苏省无锡市新吴区新梅路68号