Silicon PNP Power Transistor ｜ 品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com
2SB1201 是一款硅 PNP 功率三极管，具有低饱和压降与良好的 hFE 线性度，集电极电流达 2A，适用于功率开关应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。
| Package | Configuration | VCBO (V) | VCEO (V) | VEBO (V) | IC (A) | VCE(sat) (V) | hFE Min | hFE Max | Structure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO-220 | Single-P | 60 | 50 | 6 | 2 | 0.7 | 100 | 560 | Silicon PNP |
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VCBO | 集电极-基极电压 | -60 | V |
| VCEO | 集电极-发射极电压 | -50 | V |
| VEBO | 发射极-基极电压 | -6 | V |
| IC | 集电极电流（连续） | -2 | A |
| ICM | 集电极电流（峰值） | -4 | A |
| PC | 集电极耗散功率 | 15 | W |
| TJ | 工作结温 | 150 | ℃ |
| Tstg | 存储温度 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | 结-壳热阻 | 8.33 | ℃/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CBO | 集电极-基极击穿电压 | IC=-10µA；IE=0 | -60 | -- | -- | V |
| V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC=-1mA；IB=0 | -50 | -- | -- | V |
| V(BR)EBO | 发射极-基极击穿电压 | IE=-10µA；IC=0 | 6 | -- | -- | V |
| VCE(sat) | 集电极-发射极饱和压降 | IC=-1A；IB=-50mA | -- | -- | -0.7 | V |
| VBE(sat) | 基极-发射极饱和压降 | IC=-1A；IB=-50mA | -- | -- | -1.2 | V |
| ICBO | 集电极截止电流 | VCB=-50V；IE=0 | -- | -- | -100 | nA |
| IEBO | 发射极截止电流 | VEB=-4V；IC=0 | -- | -- | -100 | nA |
| hFE-1 | 直流电流增益 | IC=-0.1A；VCE=-2V | 100 | -- | 560 | -- |
| hFE-2 | 直流电流增益 | IC=-1.5A；VCE=-2V | 40 | -- | -- | -- |
| 档位 | R | S | T | U |
|---|---|---|---|---|
| hFE 范围 | 100-200 | 140-280 | 200-400 | 280-560 |
注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。
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