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2SB1204 国产替代PNP Silicon Power Transistor

PNP Silicon Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_CEO）：-50V，V_CBO -60V
集电极电流（I_C）：-8A，峰值 -12A
低饱和压降：V_CE(sat) ≤ -0.5V @ I_C=-4A，I_B=-200mA
高电流、高 f_T：f_T 130MHz（典型值），h_FE 线性度优异
开关速度快，适合高速逆变与转换电路
TO-251（TP）/ TO-252（TP-FA）两种封装，薄型贴装便于整机小型化

PNP 硅外延平面型功率晶体管，-50V/-8A，低饱和压降与高转换频率兼具，适用于继电器驱动、高速逆变器与转换器等大电流开关场合。提供 TO-251 与 TO-252 两种封装。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-251 / TO-252	PNP	-50	-60	-8	20	70~400	-0.5

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-50	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-8	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	-12	A
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	20	W
P_C	集电极耗散功率 T_a=25℃	1.0	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-4A；I_B=-200mA	--	-0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=-4A；I_B=-200mA	--	-1.3	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-10µA；I_E=0	-60	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-1mA；I_B=0	-50	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-10µA；I_C=0	-6	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-40V；I_E=0	--	-1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-4V；I_C=0	--	-1	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-0.5A；V_CE=-2V	70	400	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-6A；V_CE=-2V	35	--	--

典型特性

符号	参数	测试条件	典型值	单位
C_ob	输出电容	I_E=0；V_CB=-10V；f=1MHz	95	pF
f_T	转换频率	I_C=-1A；V_CE=-5V	130	MHz

h_FE 分档

Q	R	S	T
70 ~ 140	100 ~ 200	140 ~ 280	200 ~ 400

应用

继电器驱动-8A 电流能力可直接驱动工业继电器与接触器线圈，低饱和压降降低驱动损耗。
高速逆变器高 f_T 与快速开关特性，适合低压大电流逆变拓扑的功率级。
DC-DC 转换器开关型转换器中的功率开关管，TO-252 贴装便于高密度布局。
通用大电流开关电磁阀、马达等大电流负载的通断控制。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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