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2SB1316 国产替代Silicon PNP Darlington Power Transistor

Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-100V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-100V
达林顿结构，高直流电流增益：h_FE=1000 ~ 10000 @ I_C=-1A
集电极电流（I_C）：-2.0A（脉冲 -3.0A）
集电极耗散功率（P_C）：10W @ T_C=25℃
内置基极-发射极电阻与阻尼二极管，100% 雪崩测试
互补 NPN 型号：2SD2195 / 2SD1980
DPAK 表面贴装封装
封装：TO-252/DPAK

2SB1316 是一款硅 PNP 达林顿功率三极管，内置基极-发射极电阻与阻尼二极管，具有高直流电流增益与 100% 雪崩测试特性，适用于电机驱动、LED 驱动与电源应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-252/DPAK	Single-P (Darlington)	-100	-100	-8	-2.0	-1.5	1000	10000	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-100	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-100	V
V_EBO	发射极-基极电压	-8	V
I_C	集电极电流（连续）	-2.0	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-3.0	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
BV_CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-50µA	-100	--	--	V
BV_CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-5mA	-100	--	--	V
BV_EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-5mA	-10	--	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-1A；I_B=-1mA	--	--	-1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-100V；I_E=0	--	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-7V；I_C=0	--	--	-3.0	mA
h_FE	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-2V	1000	--	10000	--
C_OB	输出电容	I_E=0；V_CB=-10V；f=1.0MHz	--	--	35	pF
f_T	特征频率	I_C=-0.1A；V_CE=-5V，f=100MHz	--	50	--	MHz

应用

电机驱动电机驱动器（Motor Driver）应用。
LED 驱动LED 驱动器（LED Driver）应用。
电源电源（Power Supply）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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