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2SB1375 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-60V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-60V
发射极-基极电压（V_EBO）：-7V
集电极电流（I_C）：-3A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：25W @ T_C=25℃，2.0W @ T_a=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.5V（Max）@ I_C=-2A，I_B=-0.2A
直流电流增益（h_FE）：100 ~ 320 @ I_C=-0.5A
与 2SD2012（NPN）互补配对
封装：TO-220F

2SB1375 是一款 -60V / -3A / 25W 的 PNP 功率三极管，采用 TO-220F 全包封，饱和压降低、增益线性好，与 2SD2012（NPN）互补，适用于音频功放与通用中功率放大电路。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	V_CE(sat) (V)	h_FE	Structure
TO-220F	Single-P	-60	-60	-7	-3	25	-1.5	100 ~ 320	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_a=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-60	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-60	V
V_EBO	发射极-基极电压	-7	V
I_C	集电极电流（连续）	-3	A
I_B	基极电流（连续）	-0.5	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	25	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	2.0	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-50mA；I_B=0	-60	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-2A；I_B=-0.2A	--	-1.5	V
V_BE	基极-发射极电压	I_C=-0.5A；V_CE=-5V	--	-1.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-60V；I_E=0	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-7V；I_C=0	--	-10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-0.5A；V_CE=-5V	100	320	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-2A；V_CE=-5V	15	--	--
f_T	特征频率	I_C=-0.5A；V_CE=-5V	9	--	MHz
C_OB	集电极输出电容	V_CB=-10V；I_E=0；f=1MHz	--	50	pF

应用

音频功率放大音频功放输出级与推动级。
互补输出级与 2SD2012 组成 OCL/OTL 互补推挽输出。
中功率放大通用中功率信号放大。
串联稳压小功率串联型稳压电源调整管。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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