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2SB1559 国产替代Silicon PNP Darlington Power Transistor

Silicon PNP Darlington Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-150V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-160V
高直流电流增益（达林顿结构）：h_FE=5000（Min）@ I_C=-6A，V_CE=-4V
集电极电流（I_C）：-8A；基极电流（I_B）：-1A
总耗散功率（P_C）：80W @ T_C=25℃
低集电极-发射极饱和压降：V_CE(sat)=-2.5V（Max）@ I_C=-6A
特征频率 f_T：65MHz；输出电容 C_ob：160pF（典型值）
与 2SD2389 互补
封装：TO-3PN

2SB1559 是一款硅 PNP 达林顿功率三极管，具有高直流电流增益与较宽的安全工作区，适用于音频功率放大、串联稳压器与通用应用，与 2SD2389 互补配对，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3PN	Single-P (Darlington)	-160	-150	-5	-8	-2.5	5000	30000	Silicon PNP Darlington

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-160	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-150	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-8	A
I_B	基极电流（连续）	-1	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	80	W
T_J	工作结温	150	℃
T_stg	存储温度范围	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_j=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	典型	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-30mA，I_B=0	-150	--	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-6A，I_B=-6mA	--	--	-2.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-6A，I_B=-6mA	--	--	-3.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-160V，I_E=0	--	--	-100	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V，I_C=0	--	--	-100	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-6A，V_CE=-4V	5000	--	--	--
C_ob	输出电容	I_E=0，V_CB=-10V，f=1MHz	--	160	--	pF
f_T	特征频率	I_C=1A，V_CE=-12V	--	65	--	MHz
t_on	导通时间	I_C=-6A，R_L=10Ω，I_B1=I_B2=-6mA，V_CC=60V	--	0.7	--	µs
t_s	存储时间	同上	--	3.6	--	µs
t_f	下降时间	同上	--	0.9	--	µs

h_FE 分档

档位	O	P	Y
h_FE 范围	5000 ~ 12000	6500 ~ 20000	15000 ~ 30000

应用

音频功率放大音频功率放大器（Audio Amplifier）输出级。
串联稳压器串联稳压器（Series Regulator）与通用应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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