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2SB1658 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-30V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-30V
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.15V（Max）@ I_C=-1A
高直流电流增益：h_FE=150 ~ 600 @ I_C=-1A
集电极电流（I_C）：-5A（脉冲 -10A）
集电极耗散功率（P_C）：10W @ T_C=25℃
封装：TO-126

2SB1658 是一款硅 PNP 功率三极管，具有 -30V/-5A 的电压电流能力、低饱和压降与高直流电流增益，适用于音频功率放大器及开关电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-P	30	30	6	5	0.15	150	600	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-30	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-30	V
V_EBO	发射极-基极电压	-6	V
I_C	集电极电流（连续）	-5	A
I_CP	集电极电流（脉冲）	-10	A
I_B	基极电流（连续）	-2	A
P_C	总耗散功率 @ T_C=25℃	10	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	12.5	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0A	-30	--	V
V_CE(sat)-1	集电极-发射极饱和压降	I_C=-1A；I_B=-50mA	--	-0.15	V
V_CE(sat)-2	集电极-发射极饱和压降	I_C=-2A；I_B=-0.1A	--	-0.25	V
V_CE(sat)-3	集电极-发射极饱和压降	I_C=-4A；I_B=-0.2A	--	-0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-1A；I_B=-0.1A	--	-1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-30V；I_E=0	--	-0.1	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-6V；I_C=0	--	-0.1	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-2V	150	600	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-4A；V_CE=-2V	50	--	--

应用

音频功率放大器音频功率放大器（Audio Frequency Power Amplifier）应用。
开关电路开关（Switching）电路应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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