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2SB546 国产替代PNP Power Transistor

PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压 V_CBO：-200V
集电极-发射极击穿电压 V_(BR)CEO：-150V（Min）
集电极电流 I_C：-2A（连续）/ -3A（峰值）
集电极耗散功率 P_C：30W（T_C=25℃）
集电极-发射极饱和电压 V_CE(sat)：-1.0V（Max）@ I_C=-0.5A
封装：TO-220C

2SB546 是一款 -150V/-2A 的 PNP 功率三极管，TO-220C 封装，耐压高、线性好，与 2SD401 构成互补对管，适用于彩电垂直偏转等互补对称电路，也常用于音频功放驱动与通用开关场合。

参数

核心参数表

Package	V_CEO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE (Min)	T_j (℃)
TO-220C	-150	-2	30	40	150

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-200	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-150	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-2	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-3	A
P_C	集电极耗散功率（T_C=25℃）	30	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	4.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-150	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-0.5mA；I_E=0	-200	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-0.5mA；I_B=0	-5	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-0.5A；I_B=-50mA	--	-1.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-150V；I_E=0	--	-50	μA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-50	μA
h_FE	直流电流增益	I_C=-0.4A；V_CE=-10V	40	240	--

h_FE 分档

R	O	Y
40 ~ 80	70 ~ 140	120 ~ 240

应用

彩电垂直偏转彩电垂直偏转互补对称电路（Vertical deflection of complementary symmetry circuit）。
音频功放音频功率放大与驱动级。
通用开关通用功率开关与线性放大。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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