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2SB566 国产替代PNP Silicon Power Transistor

PNP Silicon Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-50V（最小），V_CBO -70V
集电极电流（I_C）：-4A，峰值 -8A
集电极耗散功率（P_C）：40W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat) ≤ -1.0V @ I_C=-2A，I_B=-0.2A
h_FE 分 B / C 两档：60~120 / 100~200
TO-220 封装，与 2SD476 互补

PNP 硅三重扩散功率晶体管，-50V/-4A/40W，适用于低频功率放大与功率开关电路，与 2SD476 组成互补对。

参数

核心参数表

Package	Polarity	V_CEO (V)	V_CBO (V)	I_C (A)	P_C (W)	h_FE	V_CE(sat) (V)
TO-220	PNP	-50	-70	-4	40	60~200	-1.0

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-70	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-50	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-4	A
I_CM	集电极电流（峰值）	-8	A
P_C	集电极耗散功率 T_C=25℃	40	W
T_j	结温	150	℃
T_stg	储存温度范围	-55~150	℃

热特性

符号	参数	数值	单位
R_th(j-c)	结到壳热阻	3.12	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-50	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-10µA；I_E=0	-70	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-10µA；I_C=0	-5	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-2A；I_B=-0.2A	--	-1.0	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和电压	I_C=-2A；I_B=-0.2A	--	-1.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-50V；I_E=0	--	-1	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-4V	60	200	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-0.1A；V_CE=-4V	35	--	--

h_FE 分档

B	C
60 ~ 120	100 ~ 200

应用

低频功率放大音频功放输出级与推动级，与 2SD476 组成互补推挽输出。
功率开关电源通断与负载切换，-4A 电流能力覆盖中等功率负载。
稳压电源串联稳压电路中的调整管。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

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