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2SB596 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-80V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-80V
集电极电流（I_C）：-4A
集电极耗散功率（P_C）：30W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.7V（Max）@ I_C=-3A
直流电流增益（h_FE）：40 ~ 240 @ I_C=-0.5A
与 2SD526（NPN）互补配对
封装：TO-220C（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

2SB596 是一款硅 PNP 功率三极管，具有 -80V/-4A 的电压电流能力与 30W 耗散功率，饱和压降低、增益线性度好，与 NPN 型 2SD526 互补配对，适用于 20~25W 高保真音频功率放大器的输出级，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-220C	Single-P	80	80	5	4	1.7	40	240	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-80	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-80	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-4	A
I_B	基极电流（连续）	-0.4	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	30	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	4.17	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-1mA；I_E=0	-80	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-80	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-1mA；I_C=0	-5.0	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-3A；I_B=-300mA	--	-1.7	V
V_BE(on)	基极-发射极导通电压	V_CE=-5V；I_C=-3A	--	-1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-80V；I_E=0	--	-70	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-100	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-0.5A；V_CE=-5V	40	240	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-3A；V_CE=-5V	15	--	--

h_FE 分档

R	O	Y
40 ~ 80	70 ~ 140	120 ~ 240

应用

音频功率放大20~25W 高保真音频功率放大器输出级（Output stage）应用。
通用放大通用放大（General purpose amplifier）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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