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2SB649A 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-180V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-160V（Min）
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-1.5A（峰值 -3A）
集电极耗散功率（P_C）：20W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-1.0V（Max）@ I_C=-0.5A
直流电流增益（h_FE）：60 ~ 200 @ I_C=-150mA
与 2SD669A（NPN）互补配对
封装：TO-126MOD

2SB649A 是一款硅 PNP 功率三极管，采用 TO-126MOD 封装，具有 -180V/-160V 的高耐压、-1.5A 的电流能力与低饱和压降、优良的 h_FE 线性度，与 2SD669A（NPN）构成互补对，适用于低频功率放大与高耐压驱动电路，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126MOD	Single-P	-180	-160	-5	-1.5	-1.0	60	200	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-180	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-160	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-1.5	A
I_CP	集电极电流（峰值）	-3	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	20	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-1mA；I_E=0A	-180	--	V
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；R_BE=∞	-160	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-1mA；I_C=0A	-5.0	--	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-160V；I_E=0A	--	-10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-150mA；V_CE=-5V	60	200	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-500mA；V_CE=-5V	30	--	--
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-500mA；I_B=-50mA	--	-1.0	V
V_BE(on)	基极-发射极开启电压	I_C=-150mA；V_CE=-5V	--	-1.5	V

h_FE 分档

B	C
60 - 120	100 - 200

应用

低频功率放大音频与低频功率放大器的输出级。
高耐压驱动高反压场合的功率驱动级。
串联稳压串联型稳压电源的调整管。
互补推挽与 2SD669A 组成互补推挽输出级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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