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2SB688 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-120V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-120V
集电极电流（I_C）：-8A
饱和压降：V_CE(sat)=-2.5V（Max）@ I_C=-5.0A
集电极耗散功率（P_C）：80W
直流电流增益（h_FE）：55 ~ 160（R/O 两档）
结-壳热阻（R_{th j-c}）：1.56℃/W
与 2SD718（NPN）互补配对
封装：TO-3P

2SB688 是一款硅 PNP 功率三极管，具有 -120V/-8A 的电压电流能力与 80W 的耗散功率，高击穿电压特性突出，与 NPN 型 2SD718 互补配对，适用于功率放大等场景，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-P	120	120	5	8	2.5	55	160	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-120	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-120	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-8	A
P_C	集电极耗散功率	80	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	1.56	℃/W

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-10mA；I_B=0	-120	--	V
V_(BR)CBO	集电极-基极击穿电压	I_C=-100µA；I_E=0	-120	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-100µA；I_C=0	-5.0	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-5A；I_B=-0.5A	--	-2.5	V
V_BE(on)	基极-发射极电压	V_CE=-5V；I_C=-5A	--	-1.5	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-120V；I_E=0	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0	--	-10	µA
h_FE	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-5V	55	160	--

h_FE 分档

档位	R	O
h_FE 范围	55-110	80-160

应用

功率放大功率放大（Power Amplifier Applications）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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公司：无锡固电半导体股份有限公司（ISC）

电话：0510-85346300

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