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2SB754 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述参数应用技术支持

描述

产品简介

集电极-基极电压（V_CBO）：-50V
集电极-发射极电压（V_CEO）：-50V（Min）
发射极-基极电压（V_EBO）：-5V
集电极电流（I_C）：-7A（连续）
集电极耗散功率（P_C）：60W @ T_C=25℃
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.4V（Max）@ I_C=-4A
直流电流增益（h_FE）：70 ~ 240 @ I_C=-1A
与 2SD844（NPN）互补配对
封装：TO-3P

2SB754 是一款硅 PNP 三重扩散型功率三极管，采用 TO-3P 封装，具有 -50V/-7A 的电流能力、低饱和压降与 60W 的高耗散功率，与 2SD844（NPN）构成互补对，适用于大电流开关、功率放大与音频功放的输出级，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-3P	Single-P	-50	-50	-5	-7	-0.4	70	240	Silicon PNP

绝对最大额定值（T_C=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-50	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-50	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-7	A
I_E	发射极电流	7	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_C=25℃	60	W
P_C	集电极耗散功率 @ T_a=25℃	2.5	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

热特性

符号	参数	最大值	单位
R_{th j-c}	结-壳热阻	2.08	℃/W

电气特性（T_j=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_(BR)CEO	集电极-发射极击穿电压	I_C=-50mA；I_B=0A	-50	--	V
V_(BR)EBO	发射极-基极击穿电压	I_E=-10mA；I_C=0A	-5	--	V
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和电压	I_C=-4A；I_B=-0.4A	--	-0.4	V
V_BE	基极-发射极电压	I_C=-4A；V_CE=-1V	-0.9	-1.2	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-50V；I_E=0A	--	-10	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-5V；I_C=0A	--	-10	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-1V	70	240	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-4A；V_CE=-1V	30	--	--
f_T	特征频率	I_C=-1A；V_CE=-5V	10	--	MHz
C_ob	集电极输出电容	V_CB=-10V；I_E=0；f=1MHz	--	300	pF

h_FE 分档

O	Y
70 - 140	120 - 240

应用

大电流开关继电器、电机、灯负载的大电流开关。
功率放大音频功放的输出级，与 2SD844 互补推挽。
串联稳压大电流串联稳压电源的调整管。
电机驱动直流电机与电磁执行器的驱动级。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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