2SB772 国产替代Silicon PNP Power Transistor

Silicon PNP Power Transistor ｜品牌：ISC（无锡固电半导体股份有限公司）｜ www.iscsemi.com

描述

产品简介

集电极-发射极击穿电压（V_(BR)CEO）：-30V（Min）
集电极-基极电压（V_CBO）：-40V
集电极电流（I_C）：-3A（脉冲 -7A）
低饱和压降：V_CE(sat)=-0.5V（Max）@ I_C=-2A，I_B=-0.2A
集电极耗散功率（P_C）：10W @ T_c=25℃
高直流电流增益（h_FE）：60 ~ 400 @ I_C=-1A
与 2SD882（NPN）互补配对
封装：TO-126（1 发射极 / 2 集电极 / 3 基极）

2SB772 是一款硅 PNP 功率三极管，具有 -30V/-3A 的电压电流能力与 -0.5V 的低饱和压降，h_FE 线性度好且增益高，与 NPN 型 2SD882 互补配对，适用于 3W 音频放大器输出级、稳压电路、DC-DC 变换器与继电器驱动等应用，为对应的国外同型号产品提供国产替代方案。

参数

核心参数表

Package	Configuration	V_CBO (V)	V_CEO (V)	V_EBO (V)	I_C (A)	V_CE(sat) (V)	h_FE Min	h_FE Max	Structure
TO-126	Single-P	40	30	5	3	0.5	60	400	Silicon PNP

绝对最大额定值（Ta=25℃）

符号	参数	数值	单位
V_CBO	集电极-基极电压	-40	V
V_CEO	集电极-发射极电压	-30	V
V_EBO	发射极-基极电压	-5	V
I_C	集电极电流（连续）	-3	A
I_CM	集电极电流（脉冲）	-7	A
P_C	集电极耗散功率 @ T_c=25℃	10	W
T_J	结温	150	℃
T_stg	存储温度	-55 ~ 150	℃

电气特性（T_C=25℃，另有说明除外）

符号	参数	测试条件	最小	最大	单位
V_CE(sat)	集电极-发射极饱和压降	I_C=-2A；I_B=-0.2A	--	-0.5	V
V_BE(sat)	基极-发射极饱和压降	I_C=-2A；I_B=-0.2A	--	-2.0	V
I_CBO	集电极截止电流	V_CB=-30V；I_E=0	--	-1.0	µA
I_EBO	发射极截止电流	V_EB=-3V；I_C=0	--	-1.0	µA
h_FE-1	直流电流增益	I_C=-20mA；V_CE=-2V	30	--	--
h_FE-2	直流电流增益	I_C=-1A；V_CE=-2V	60	400	--

h_FE 分档

档位	R	Q	P	E
h_FE 范围	60-120	100-200	160-320	200-400

应用

音频功率放大3W 音频放大器输出级（Output stage of 3W audio amplifier）应用。
稳压电路电压调整（Voltage regulation）应用。
继电器驱动继电器驱动（Relay driver）应用。
DC-DC 变换器DC-DC 变换器（DC-DC converter）应用。

注：以上应用场景基于数据手册整理，具体选型请以实际应用为准。

技术支持

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